50WLED防爆照明燈ExdembIICT6IP66T80℃

　　50WLED防爆照明燈ExdembIICT6IP66T80℃產(chǎn)品結構
 

　　1.燈具防爆型式為隔爆型或粉塵防爆型，適用于氣體或粉塵爆炸危險場(chǎng)所照明使用。
 

　　2.燈具光源腔，電器腔，接線(xiàn)腔構成，密閉式設計。
 

　　3.燈具由鋁合金壓鑄成型，電器腔內含LED開(kāi)關(guān)電源，接線(xiàn)端子等電器，接線(xiàn)腔內含有用戶(hù)接線(xiàn)端子，光源腔內部設有鋁合金鏡面反射器。
 

　　4.鋼化玻璃透光罩采用環(huán)氧樹(shù)脂澆封，透光率高，抗沖擊強。網(wǎng)罩采用優(yōu)質(zhì)不銹鋼，表面聚酯粉末噴涂(防腐外殼經(jīng)過(guò)特殊金屬處理在表面聚酯粉末噴涂)。
 

　　5.燈具外露緊固件采用優(yōu)質(zhì)不銹鋼，安裝有橡膠密封墊，密封可靠，防水防塵防腐性強。
 

　　6.內置橡膠件，電纜外皮，塑料全采用抗高溫抗阻燃件，更安全可靠。
 

　　7.本燈具適用于管吊式，吸頂式，吸壁式，立桿式，支架式等多種安裝方式。
 

　　8.電源采用整體散熱技術(shù)，短路、過(guò)流、過(guò)壓、過(guò)溫保護。
 

　　如何安裝LED防爆燈
 

　　1.爆炸源遠低于危險或遠離電氣線(xiàn)路的安裝位置，爆炸危險的防爆電路主要鋼管或電纜布線(xiàn)。
 

　　2.電氣安裝接線(xiàn)，以及保護管，電纜或管道的不同部分之間通過(guò)墻或爆炸性氣體層，非可燃材料，應采取嚴密堵塞。
 

　　3.在配電線(xiàn)路的框架，爆炸性氣體環(huán)境危險等級1的銅導線(xiàn)或電纜應使用。震動(dòng)應選擇更多的銅導體電纜銅線(xiàn)或多股。我不可以使用鋁芯電纜。
 

　　4.電力線(xiàn)爆炸危險區域內的風(fēng)險水平2 4節的范圍及以上應使用電線(xiàn)或電纜，照明電路超過(guò)2.5毫米2可與鋁導體的電線(xiàn)或電纜。
 

　　5.絕緣導線(xiàn)截面選擇允許電纜和電線(xiàn)的長(cháng)延時(shí)電流承載能力不小于額定熔斷器和斷路器過(guò)流跳閘設定的1.25倍的電流。
 

　　LED低壓鼠籠式異步電動(dòng)機起動(dòng)允許應不小于1.25倍的電機額定電流負載流量的倍。
 

　　技術(shù)參數：
 

　　外形顏色：雅明防爆色 灰色 雅明色
 

　　光源類(lèi)型：科銳CREE 品牌
 

　　燈珠數量：20/30/60/80顆
 

　　防爆標志：Exdemb II CT6
 

　　工作電壓：AC/DC 220V±20% 50Hz
 

　　額定功率：20/30/40/50/60/70/80/100/120/150W
 

　　光源色溫：暖白2700~4500K/正白5000~6500K
 

　　功率因數：0.98
 

　　功率流明：8400~12600lm
 

　　防護等級：IP65
 

　　防腐等級：WF2
 

　　引入裝置：G3/4"引入口規格，合適Φ 8mm～Φ12mm電纜
 

　　安裝方式：吸頂式、壁式、嵌入式、路燈式
 

　　LED防爆燈發(fā)光原理：
 

　　LED即發(fā)光二極管，是一種固態(tài)的半導體器件，它可以直接電能轉化成光。LED的核心是一個(gè)半導體晶片，半導體晶片由兩部分組成，一部風(fēng)是P型半導體，
 

　　在它里面空穴占主導位置，另一端是N型半導體，在這里面主要是電子，兩種半導體連接起來(lái)的時(shí)候，它們之間就形成一個(gè)P-N結，當電流通過(guò)導線(xiàn)作用于晶片時(shí)，
 

　　電子就會(huì )被推向P區，在P區里電子根空穴復合，就會(huì )以光子的形式發(fā)出可見(jiàn)光。
 

　　發(fā)光二極管是由Ⅲ-Ⅳ族化合物，如GaAs(砷化鎵)、GaP(磷化鎵)、GaAsP(磷砷化鎵)等半導體制成的，其核心是PN結。因此它具有一般P-N結的I-N特性，
 

　　即正向導通，反向截止、擊穿特性。此外，在一定條件下，它還具有發(fā)光特性。在正向電壓下，電子由N區注入P區，空穴由P區注入N區。
 

　　進(jìn)入對方區域的少數載流子(少子)一部分與多數載流子(多子)復合而發(fā)光。
 

　　假設發(fā)光是在P區中發(fā)生的，那么注入的電子與價(jià)帶空穴直接復合而發(fā)光，或者先被發(fā)光中心捕獲后，再與空穴復合發(fā)光。除了這種發(fā)光復合外，
 

　　還有些電子被非發(fā)光中心(這個(gè)中心介于導帶、介帶中間附近)捕獲，而后再與空穴復合，每次釋放的能量不大，不能形成可見(jiàn)光。發(fā)光的復合量相對于非發(fā)光復合量的比例越大，光量子效率越高。由于復合是在少子擴散區內發(fā)光的，所以光僅在靠近PN結面數μm以?xún)犬a(chǎn)生。
 

　　理論和實(shí)踐證明，光的峰值波長(cháng)λ與發(fā)光區域的半導體材料禁帶寬度Eg有關(guān)，即
 

　　λ≈1240/Eg(mm)
 

　　式中Eg的單位為電子伏特(eV)。若能產(chǎn)生可見(jiàn)光(波長(cháng)在380nm紫光～780nm紅光)，半導體材料的Eg應在3.26～1.63eV之間。比紅光波長(cháng)長(cháng)的光為紅外光。
 

　　現在已有紅外、紅、黃、綠及藍光發(fā)光二極管，但其中藍光二極管成本、價(jià)格很高，使用不普遍。